Характеристики
| Состояние | Новое |
|---|---|
| Категория | Оперативная память |
| Артикул / Id | NNLB1882547 |
| Бренд | Qumo |
| масса(кг) | 0.025 |
| Производитель | Qumo |
| длина(см) | 9.5 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 9 |
| Объем одного модуля (ГБ) | 4 |
| Тайминги | 9-9-9 |
| id | 1882547 |
| rusName | [Модуль памяти] QUMO DDR3 SODIMM 4GB QUM3S-4G1333C(L)9 PC3-10600, 1333MHz |
| Количество контактов | 240 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 9 |
| Цвет | разноцветный |
| Напряжение (В) | 1.5 |
| Частота (MHz) | DDR3 - 1333 |
| высота(см) | 1.5 |
| Тип оборудования | Оперативная память |
| Тип памяти | SO-DIMM |
| CAS Latency (CL) | 9 |
| название | QUMO DDR3 SODIMM 4GB QUM3S-4G1333C(L)9 PC3-10600, 1333MHz |
| Модель | QUM3S-4G1333С9 |
| Компоновка чипов на модуле | Односторонняя |
| гарантия | 3 года |
| ширина(см) | 5.5 |
| Тип памяти DDR | DDR3 |
| Пропускная способность (МБ/с) | 10600 |
| Комплектация | Оперативная память |
| Количество модулей в комплекте (шт) | 1 |
| Тип поставки | RTL |
| Общий объем памяти (ГБ) | 4 |
| manufacturerCountry | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
| описание | Память QUM3S-4G1333C9 от Qumo |
| partNumber | QUM3S-4G1333C9 |
| Чип | 512M x 8-bit |